| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 512К х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 32-SOIC (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 32-ЦОП II |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-ИС62К5128ЭЛ-45ТЛИ-ТР |
| Стандартный пакет | 1000 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельная, 45 нс, 32-TSOP II