| Параметры |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 2Мбит |
| Организация | 128 КБ х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 2,2 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-ЦОП II |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-ИС62ВВ12816ФБЛЛ-45ТЛИ |
| Стандартный пакет | 135 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 2 Мбит, параллельная, 45 нс, 44-TSOP II