| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 35 нс |
| Время доступа | 35 нс |
| Напряжение питания | 3135 В ~ 3465 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-ТФБГА (6х8) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-ИС62ВВ25616ЭКЛЛ-35БЛИ |
| Стандартный пакет | 480 |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельной, 35 нс, 48-TFBGA (6x8)