| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 512К х 8 |
| Интерфейс памяти | SPI — вход четырехвыводный, SDI |
| Тактовая частота | 20 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 25 нс |
| Напряжение питания | 2,2 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 706-ИС62ВВС5128ФБЛЛ-20НЛИ-ТР |
| Стандартный пакет | 3000 |
SRAM — ИС синхронной памяти 4 Мбит SPI — Quad I/O, SDI 20 МГц 25 нс 8-SOIC