| Параметры | 
                                                                                                                                                      | Статус RoHS | Соответствует ROHS3 | 
                                                                                                                  | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) | 
                                                                                                                  | Другие имена | 706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3 | 
                                                                                                                  | Стандартный пакет | 96 | 
                                                                                                                  | Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 
                                                                                                                  | Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 
                                                                                                                  | Упаковка | Поднос | 
                                                                                                                  | Статус продукта | Активный | 
                                                                                                                  | Тип | Неустойчивый | 
                                                                                                                  | Формат памяти | СРАМ | 
                                                                                                                  | Технология | SRAM — асинхронный | 
                                                                                                                  | Размер | 8Мбит | 
                                                                                                                  | Организация | 512К х 16 | 
                                                                                                                  | Интерфейс памяти | Параллельно | 
                                                                                                                  | Время цикла записи — Word, Page | 10 нс | 
                                                                                                                  | Время доступа | 10 нс | 
                                                                                                                  | Напряжение питания | 2,4 В ~ 3,6 В | 
                                                                                                                  | Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) | 
                                                                                                                  | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | 
                                                                                                                  | Пакет/ключи | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | 
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования | 48-ЦОП I | 
                                                                                                                                      
                                                                           SRAM — микросхема асинхронной памяти, 8 Мбит, параллельная, 10 нс, 48-TSOP I