| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 16Мбит |
| Организация | 1М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 55нс |
| Время доступа | 55 нс |
| Напряжение питания | 2,2 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-ВФБГА (6х8) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Другие имена | 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3-ТР |
| Стандартный пакет | 2500 |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 16 Мбит, параллельной, 55 нс, 48-VFBGA (6x8)