| Параметры |
| Организация | 128 КБ х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 55нс |
| Время доступа | 55 нс |
| Напряжение питания | 2,2 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 32-ТФСОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 32-сЦОП I |
| Базовый номер продукта | ИС65ВВ1288 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Другие имена | 706-IS65WV1288FBLL-55HLA3 |
| Стандартный пакет | 234 |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM – синхронный |
| Размер | 1Мбит |
SRAM — ИС синхронной памяти, 1 Мбит, параллельной, 55 нс, 32-сTSOP I