| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ПСРАМ |
| Технология | PSRAM (псевдо SRAM) |
| Размер | 256Мбит |
| Организация | 32М х 8 |
| Интерфейс памяти | SPI — восьмеричный ввод-вывод |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 40 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 24-ГАТБ |
| Поставщик пакета оборудования | 24-ТФБГА (6х8) |
| Базовый номер продукта | ИС66ВВО32М8 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Другие имена | 706-ИС66ВВО32М8ДАЛЛ-200БЛИ |
| Стандартный пакет | 480 |
PSRAM (псевдоSRAM) ИС память 256 Мбит SPI — восьмеричный ввод-вывод 200 МГц 24-TFBGA (6x8)