| Параметры |
| Производитель | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ПСРАМ |
| Технология | PSRAM (псевдо SRAM) |
| Размер | 32 Мбит |
| Организация | 4М х 8 |
| Интерфейс памяти | ИПИ, КПИ |
| Тактовая частота | 104 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 7 нс |
| Напряжение питания | 1,65 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОИК |
| Базовый номер продукта | ИС66ВВС4М8 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Другие имена | 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI |
| Стандартный пакет | 100 |
PSRAM (псевдоSRAM) ИС память 32 Мбит SPI, QPI 104 МГц 7 нс 8-SOIC