Парметр |
Млн | Ixys Integrated Circuits Division |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Digi-Key Programmable | Nprovereno |
ЕПРАНАЛЬНО | Полумос |
ТИП КАНАЛА | NeShavymymый |
Колиство | 2 |
ТИП | Igbt, n-Kanalhnый mosfet |
Napraheneee - posta | 10 В ~ 20 В. |
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih | 0,8 В, 2,5 В. |
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина) | 290 май, 600 мат |
ТИПВ | Иртировани |
Ведокообооборот | 600 |
Верна | 70NS, 35NS |
Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
Baзowый nomer prodikta | LF2104 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8542.39.0001 |
Дрогин ИНЕНА | 212-LF2104NTR |
Станодар | 2500 |
Poluepanoчnый-vorotata ic inwertirowanee 8-soic