Парметр | |
---|---|
Млн | Ixys Integrated Circuits Division |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Digi-Key Programmable | Nprovereno |
ЕПРАНАЛЬНО | Полумос |
ТИП КАНАЛА | NeShavymymый |
Колиство | 2 |
ТИП | Igbt, n-Kanalhnый mosfet |
Napraheneee - posta | 10 В ~ 20 В. |
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih | 5 В, 9,5 В. |
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина) | 2,5А, 2,5а |
ТИПВ | Nerting |
Ведокообооборот | 600 |
Верна | 15NS, 13NS |
Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 16 лейт |
Baзowый nomer prodikta | LF2113 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 3 (168 чASOW) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8542.39.0001 |
Дрогин ИНЕНА | 212-LF2113btrct |
Станодар | 1500 |