IXYS IXTH2N150

ДИСКМОСФЕТ Н-Ч STD-HIVOLTAGE TO

Производитель: ИКСИС
Номер производителя: IXYS IXTH2N150
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация:-
Запас: 2357
Артикул: IXTH2N150
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.0397

Дополнительная цена:$11.0397

Подробности

Параметры
Производитель	ИКСИС
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип полярного транзистора	N-канал
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1500 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	2А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,2 Ом при 500 мА, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	28 НК при 10 В
ВГС (Макс)	±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	830 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	170 Вт (Тс)
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования	ТО-247 (IX)
Пакет/ключи	ТО-247-3
Базовый номер продукта	IXTH2
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	238-IXTH2N150
Стандартный пакет	30

Н-канальный 1500 В, 2 А (Tc) 170 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-247 (IXTH)