IXYS IXTQ34N65X2M - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTQ34N65X2M

ДИСКРЕТНЫЙ МОП-транзистор 34А 650В Х2 ТО3П

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTQ34N65X2M
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 7056
  • Артикул: IXTQ34N65X2M
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8,9737

Дополнительная цена:$8,9737

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 96 мОм при 17 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 54 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3000 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 43 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-3П
Пакет/ключи ТО-3П-3, СК-65-3
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 238-IXTQ34N65X2M
Стандартный пакет 30
Н-канал 650 В 34 А (Тс) 43 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-3П