IXYS IXYN100N65B3D1 — IGBT IXYS — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXYN100N65B3D1

ДИСКОВЫЙ IGBT XPT-GENX3 SOT-227UI(MI

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXYN100N65B3D1
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4047
  • Артикул: IXYN100N65B3D1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд XPT™, GenX3™
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип БТИЗ ПТ
Конфигурация Одинокий
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 185 А
Мощность - Макс. 600 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,85 В @ 15 В, 70 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce 4,74 нФ при 25 В
Вход Стандартный
НТЦ-термистор Нет
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи СОТ-227-4, миниБЛОК
Поставщик пакета оборудования СОТ-227Б
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 238-IXYN100N65B3D1
Стандартный пакет 10
Модуль IGBT PT Single, 650 В, 185 А, 600 Вт, крепление на кронштейне SOT-227B