IXYS LSIC1MO120T0160-TU - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS LSIC1MO120T0160-ТУ

МОП-транзистор SIC 1200 В/160 МОм ТО-263-

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS LSIC1MO120T0160-ТУ
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1664 г.
  • Артикул: ЛСИК1МО120Т0160-ТУ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $8.1853 г.

Дополнительная цена:$8.1853 г.

Подробности

Теги

Параметры
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-263-7
Пакет/ключи ТО-263-8, Д²Пак (7 отведений + вкладка), ТО-263СА
Базовый номер продукта ЛСИК1МО120
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 238-LSIC1MO120T0160-ТУ
Стандартный пакет 400
Производитель ИКСИС
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология SiC (карбидокремниевый переходной транзистор)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) -
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Макс) @ Id -
ВГС (Макс) -
Особенность левого транзистора -
Н-канальный, 1200 В, 22 А (Tc), для поверхностного монтажа ТО-263-7