Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E IT: B
MT47H64M8CB-37E IT: б
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E IT: B
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 3941
- Sku: MT47H64M8CB-37E IT: б
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR2 |
| Raзmerpmayti | 512 мб |
| Органихая | 64 м х 8 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 267 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 500 с |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 60-FBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 60-FBGA |
| Baзowый nomer prodikta | MT47H64M8 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0024 |
| Станодар | 1000 |
SDRAM - DDR2 PAMATTH IC 512MBIT PARALLELOH 267 мг 500 пс 60 -фга
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p