| Параметры |
| Производитель | Кага FEI America, Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | ReRAM (резистивная ОЗУ) |
| Размер | 8Мбит |
| Организация | 1М х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 10 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | 10 мс |
| Время доступа | 35 нс |
| Напряжение питания | 1,6 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 11-XFBGA, WLBGA |
| Поставщик пакета оборудования | 11-ЛП (2,07х2,88) |
| Базовый номер продукта | МБ85АС8 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 865-MB85AS8MTPW-G-KBAERE1TR |
| Стандартный пакет | 10 000 |
ReRAM (резистивная RAM) ИС память 8 Мбит SPI 10 МГц 35 нс 11-WLP (2,07x2,88)