| Параметры |
| Производитель | Кага FEI America, Inc. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ФРАМ |
| Технология | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 512К х 8 |
| Интерфейс памяти | СПИ |
| Тактовая частота | 50 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 8-СОП |
| Базовый номер продукта | МБ85РС4 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Другие имена | 865-MB85RS4MLYPF-G-BCE1 |
| Стандартный пакет | 80 |
FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) ИС память 4 Мбит SPI 50 МГц 8-SOP