| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | ДРАМ |
| Технология | SDRAM-DDR |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 32М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 15нс |
| Напряжение питания | 2,5 В ~ 2,7 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Базовый номер продукта | МТ46В32М16 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
SDRAM — микросхема памяти DDR, 512 Мбит, параллельная