| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | БАРАН |
| Технология | СГРАММ-GDDR6 |
| Размер | 8Гбит |
| Организация | 256М х 32 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1,25 ГГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,21 В ~ 1,29 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 105°С |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 180-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 180-ФБГА (12х14) |
| Базовый номер продукта | МТ61М256 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 2000 г. |
SGRAM — ИС-память GDDR6, 8 Гбит, параллельная, 1,25 ГГц, 180-FBGA (12x14)