Kioxia America, Inc. TC58Cyg2S0Hraij
TC58CYG2S0HRAIJ
- Проиджоделх: Kioxia America, Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Kioxia America, Inc. TC58Cyg2S0Hraij
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 9817
- Sku: TC58CYG2S0HRAIJ
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Kioxia America, Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй |
| Формат пэмаи | В.С. |
| Тела | Flash - nand (SLC) |
| Raзmerpmayti | 4 Гит |
| Органихая | 512M x 8 |
| ИНЕРФЕРСП | SPI |
| ТАКТОВА | 133 мг |
| Верный | - |
| Вернее | 300 мкс |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C. |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8-wdfn otkrыtaina-o |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8-Wson (6x8) |
| Baзowый nomer prodikta | TC58Cyg2 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B1A |
| Htsus | 8542.32.0071 |
| Дрогин ИНЕНА | 1853-tc58cyg2s0hraij |
| Станодар | 480 |
Flash - NAND (SLC) MEMOME IC 4GBIT SPI 133 MMGц 300 мкс 8 -WSON (6x8)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p