| Параметры |
| Производитель | EPC |
| Ряд | ЭГАН® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | GaNFET (нитрид галлия) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 53А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 5В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 4 мОм при 33 А, 5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В при 9 мА |
| Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs | 8,7 НК при 5 В |
| ВГС (Макс) | +6В, -4В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1180 пФ при 20 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - |
| Рабочая температура | -40°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Пакет/ключи | Править |
| Базовый номер продукта | ЕПК20 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0040 |
| Стандартный пакет | 2500 |
Н-канальный, 40 В, 53 А (Та), кристалл для поверхностного монтажа