NXP USA Inc. A2T14H450-23NR6
A2T14H450-23NR6
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. A2T14H450-23NR6
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2227
- Sku: A2T14H450-23NR6
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Актифен |
| Тела | LDMOS |
| ЧastoTA | 1452 гг ~ 1511 гг. |
| Прирост | 18.8db |
| В конце | 31 v. |
| Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
| Ш | - |
| ТОК - ТЕСТР | 1 а |
| Napraheneee - оинка | 65 |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | OM-1230-4L2S |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | OM-1230-4L2S |
| Baзowый nomer prodikta | A2T14 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 935316214528 |
| Станодадж | 150 |
RF MOSFET 31 V 1 A 1 452 ГГА ~ 1 511 ГГА 18,8 ДБ OM-1230-4L2S
Болх
- Vishay Siliconix IRF510
- Vishay Siliconix IRF9510
- Vishay Siliconix IRFD9220
- Vishay Siliconix IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Siliconix IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Siliconix IRF9630
- Vishay Siliconix IRF610
- Vishay Siliconix IRF530
- Vishay Siliconix IRF620
- Vishay Siliconix IRF730
- Vishay Siliconix IRF740