| Параметры |
| Производитель | Микрон Технология Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый, Летучий |
| Формат памяти | ФЛЕШ, ОЗУ |
| Технология | ФЛЭШ-NAND, DRAM- LPDDR4 |
| Размер | 4 Гбит (NAND), 4 Гбит (LPDDR4) |
| Организация | 512 М x 8 (NAND), 128 М x 32 (LPDDR4) |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 1866 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,8 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 149-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 149-ВФБГА (8х9,5) |
| Базовый номер продукта | МТ29ГЗ5А5 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3А991Б1А |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 1260 |
FLASH — NAND, DRAM — LPDDR4 ИС память 4 Гбит (NAND), 4 Гбит (LPDDR4) Параллельно, 1866 МГц, 149-WFBGA (8x9,5)