Adesto Technologies RM25C512C-LSNI-B
RM25C512C-LSNI-B
- Проиджоделх: Adesto Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Adesto Technologies RM25C512C-LSNI-B
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 1425
- Sku: RM25C512C-LSNI-B
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Adesto Technologies |
| В припании | Mavriq ™ |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | NeleTUSHIй |
| Формат пэмаи | CBRAM® |
| Тела | Cbram |
| Raзmerpmayti | 512 |
| Органихая | Raзmer -straoniцы 128 бал |
| ИНЕРФЕРСП | SPI |
| ТАКТОВА | 20 мг |
| Верный | 100 мкс, 5 мс |
| Napraheneee - posta | 1,65, ~ 3,6 В. |
| Rraboч -yemperatura | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
| Baзowый nomer prodikta | RM25C512 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B1A |
| Htsus | 8542.32.0051 |
| Станодадж | 98 |
CBRAM Memory IC 512KBIT SPI 20 MMGц 8 SOIC
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p