Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-37E: E TR
MT47H512M4THN-37E: E TR
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-37E: E TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 8138
- Sku: MT47H512M4THN-37E: E TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuю polityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - DDR2 |
| Raзmerpmayti | 2 Гит |
| Органихая | 512M x 4 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| ТАКТОВА | 267 мг |
| Верный | 15NS |
| Вернее | 500 с |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,9 В. |
| Rraboч -yemperatura | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 63-TFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 63-FBGA (8x10) |
| Baзowый nomer prodikta | MT47H512M4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2A |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Станодар | 1000 |
SDRAM - DDR2 СПАМАЙТА IC 2GBITPARALLELH 267 мг 500 пс 63 -FBGA (8x10)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p