Micron Technology Inc. MT45W256KW16BEGB-708 WT TR
MT45W256KW16BEGB-708 WT TR
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT45W256KW16BEGB-708 WT TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 2917
- Sku: MT45W256KW16BEGB-708 WT TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Псром |
| Тела | PSRAM (Psewdo sram) |
| Raзmerpmayti | 4 марта |
| Органихая | 256K x 16 |
| ИНЕРФЕРСП | Парлель |
| Верный | 70NS |
| Вернее | 70 млн |
| Napraheneee - posta | 1,7 В ~ 1,95 В. |
| Rraboч -yemperatura | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 54-VFBGA |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 54-VFBGA (6x8) |
| Baзowый nomer prodikta | MT45W256KW16 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 3 (168 чASOW) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | 3A991B2A |
| Htsus | 8542.32.0041 |
| Станодадж | 1000 |
PSRAM (Pseudo SRAM) IC PAMATI 4MBIT Параллель 70 нс 54-VFBGA (6x8)
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p