product_banner

Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3:E TR

Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3: E TR

MT47H512M4THN-3: E Tr

Проиджодел: Micron Technology Inc.
NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-3: E TR
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 2764
Sku: MT47H512M4THN-3: E Tr
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подрэбной

ТЕГИ

Парметр
Млн	Micron Technology Inc.
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Управо
ТИП ПАМАТИ	Nestabilnый
Формат пэмаи	Ддрам
Тела	SDRAM - DDR2
Raзmerpmayti	2 Гит
Органихая	512M x 4
ИНЕРФЕРСП	Парлель
ТАКТОВА	333 мг
Верный	15NS
Вернее	450 с
Napraheneee - posta	1,7 В ~ 1,9 В.
Rraboч -yemperatura	0 ° C ~ 85 ° C (TC)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	63-TFBGA
ПАКЕТИВАЕТСЯ	63-FBGA (8x10)
Baзowый nomer prodikta	MT47H512M4
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	3A991B2A
Htsus	8542.32.0036
Станодар	2000

SDRAM - DDR2 СПАМЯТА IC 2GBIT PARALLEL 333 MMGц 450 PS 63 -FBGA (8x10)

Болх