Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 2,3 Гер |
Прирост | 15,6db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 10 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 500 май |
Питани - В.О. | 210 Вт |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | ACP-1230S-4L2L |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | ACP-1230S-4L2L |
Baзowый nomer prodikta | AFT23 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935320889128 |
Станодар | 150 |
RF MOSFET 28 V 500 мам 2,3-е ~ 2,4-ggц 15,6 дБ 210 stacp-1230S-4L2L