Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Активна |
Тела | LDMOS |
ЧastoTA | 860 мг |
Прирост | 21 дБ |
В конце | 50 |
Tykuщiй rerйting (amp) | 20 мк |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 1,4 а |
Питани - В.О. | 140 Вт |
Napraheneee - оинка | 115 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | NI-1230-4S |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4S |
Baзowый nomer prodikta | MRFE8 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Дрогин ИНЕНА | 935345546178 |
Станодар | 50 |
RF MOSFET 50 V 1,4 A 860 мг 21 дБ 140 Вт NI-1230-4S