Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ

TJ80S04M3L (T6L1, NQ

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L (T6L1, NQ
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 9546
Sku: TJ80S04M3L (T6L1, NQ
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.2600

Эkst цena:$1.2600

Подрэбной

Парметр
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	П-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	40
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	80A (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	6 В, 10 В.
Rds on (max) @ id, vgs	5,2 мома @ 40а, 10
Vgs (th) (max) @ id	3V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	158 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	+10, -20v
Взёр.	7770 pf @ 10 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	100 yt (tc)
Rraboч -yemperatura	175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	DPAK+
PakeT / KORPUES	TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63
Baзowый nomer prodikta	TJ80S04
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	2000
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVI

P-KANAL 40 V 80A (TA) 100 TO (TC) POWRхNOSTNOEN