Технология микрочипа APTGT100BB60T3G

АПТГТ100BB60T3G

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APTGT100BB60T3G
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8296
Артикул: АПТГТ100BB60T3G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $80.3700

Дополнительная цена:$80.3700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	Траншейная полевая остановка
Конфигурация	Половина моста
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	150 А
Мощность - Макс.	340 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	1,9 В @ 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	250 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	6,1 нФ при 25 В
Вход	Стандартный
НТЦ Термистор	Да
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	SP3
Поставщик пакета оборудования	SP3
Базовый номер продукта	АПТГТ100
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT Trench Field Stop Полумост 600 В 150 А 340 Вт Сквозное отверстие SP3