ONSEMI AFGHL50T65SQD
Aec 101 квалисирована, 650v, 50a fie
- Проиджоделх: OnSemi
- NoMerPOIзVODITELEL: ONSEMI AFGHL50T65SQD
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 7036
- Sku: AFGHL50T65SQD
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | OnSemi |
| В припании | Автомобиль, AEC-Q101 |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 80 а |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 200 А. |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.1V @ 15V, 50a |
| Синла - МАКС | 268 Вт |
| Переклхейн | 950 мкд (на), 460 мкд (выключен) |
| ТИПВ | Станода |
| ЗArAd -vvoROT | 102 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 20NS/81NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 50А, 4,7 ОМ, 15 |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 247-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 247-3 |
| Baзowый nomer prodikta | Afghl50 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | Neprigodnnый |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 488-AFGHL50T65SQD |
| Станодадж | 30 |
Полевое поле IGBT Стоп 650 В 80 A 268
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F