Технология Comchip CDBGBSC20650-G

CDBGBSC20650-G

Производитель: Комчип Технология
Номер производителя: Технология Comchip CDBGBSC20650-G
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 8435
Артикул: CDBGBSC20650-G
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Комчип Технология
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Устаревший
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение – обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	650 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	33А (постоянный ток)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,7 В при 10 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	100 мкА при 650 В
Рабочая температура - соединение	-55°С ~ 175°С
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-247-3
Поставщик пакета оборудования	ТО-247
Базовый номер продукта	CDBGBSC20650
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Стандартный пакет	25

Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 650 В, 33 А (постоянный ток), сквозное отверстие ТО-247-3