Микрочиповая технология JANS2N6989
ЯНС2Н6989
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANS2N6989
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 7342
- Артикул: ЯНС2Н6989
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/559 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 4 НПН (четверка) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 800мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 1,5 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 14-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-116 |
| Базовый номер продукта | 2N6989 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 4 NPN (четверка), 50 В, 800 мА, 1,5 Вт, сквозное отверстие ТО-116