Парметр |
Млн | NXP USA Inc. |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
Тела | LDMOS |
Коунфигура | Дон |
ЧastoTA | 2,5 -е |
Прирост | 14.5db |
В конце | 28 |
Tykuщiй rerйting (amp) | - |
Ш | - |
ТОК - ТЕСТР | 800 млн |
Питани - В.О. | 60 |
Napraheneee - оинка | 65 |
МОНТАНАНГИП | ШASCI |
PakeT / KORPUES | NI-1230-4LS2L |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | NI-1230-4LS2L |
Baзowый nomer prodikta | A2T26 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | Neprigodnnый |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0075 |
Станодадж | 150 |
RF MOSFET 28 V 800-мам 2,5-е ГГГ 14,5 ДБ 60 Вт NI-1230-4LS2L