onsemi FGD3N60LSDTM-T - onsemi IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми FGD3N60LSDTM-T

ФГД3Н60ЛСДТМ-Т

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми FGD3N60LSDTM-T
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8323
  • Артикул: ФГД3Н60ЛСДТМ-Т
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип БТИЗ -
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 600 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 6 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 25 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 1,5 В @ 10 В, 3 А
Мощность - Макс. 40 Вт
Переключение энергии 250 мкДж (вкл.), 1 мДж (выкл.)
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 12,5 нКл
Td (вкл/выкл) при 25°C 40 нс/600 нс
Условия испытаний 480 В, 3 А, 470 Ом, 10 В
Время обратного восстановления (trr) 234 нс
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ТО-252АА
Базовый номер продукта ФГД3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
IGBT 600 В 6 А 40 Вт для поверхностного монтажа ТО-252АА