MDD SI2301-3A - MDD FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

МДД СИ2301-3А

МОП-транзистор СОТ-23 П Канал 20В

  • Производитель: МДД
  • Номер производителя: МДД СИ2301-3А
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 288
  • Артикул: СИ2301-3А
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,2055

Дополнительная цена:$0,2055

Подробности

Теги

Параметры
ВГС (Макс) ±10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 330 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 225 мВт (Та)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования СОТ-23
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Другие имена 3372-SI2301-3ATR
Стандартный пакет 6000
Производитель МДД
Ряд СОТ-23
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 3,3 В, 4,5 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 90 мОм при 3 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 1 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,6 нк при 10 В
П-канал 20 В 3А (Та) 225 мВт (Та) для поверхностного монтажа СОТ-23