Парметр |
Млн | OnSemi |
В припании | PowerTrench® |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Управо |
ТИП ФЕТ | П-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 20 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 8a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 2,5 В, 4,5 В. |
Rds on (max) @ id, vgs | 24mohm @ 8a, 4,5 |
Vgs (th) (max) @ id | 1,5 В @ 250 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 33 NC @ 5 V |
Vgs (mmaks) | ± 10 В. |
Взёр. | 2260 pf @ 10 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 2,5 yt (tat) |
Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 8 лейт |
PakeT / KORPUES | 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) |
Baзowый nomer prodikta | SI942 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Доусейн Статуса | DOSTISH |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 2500 |
P-KANAL 20- 8A (TA) 2,5 sta (TA) poverхnosTnoe krepleneen 8 soic