Rohm Semiconductor RGT8BM65DTL - Rohm Semiconductor IGBT - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Ром Полупроводник RGT8BM65DTL

РГТ8БМ65ДТЛ

  • Производитель: Ром Полупроводник
  • Номер производителя: Ром Полупроводник RGT8BM65DTL
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7226
  • Артикул: РГТ8БМ65ДТЛ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $2.3300

Дополнительная цена:$2.3300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Ром Полупроводник
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Не для новых дизайнов
Тип БТИЗ Траншейная полевая остановка
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 8 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm) 12 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2,1 В @ 15 В, 4 А
Мощность - Макс. 62 Вт
Переключение энергии -
Тип входа Стандартный
Заряд от ворот 13,5 нК
Td (вкл/выкл) при 25°C 17 нс/69 нс
Условия испытаний 400В, 4А, 50Ом, 15В
Время обратного восстановления (trr) 40 нс
Рабочая температура -40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ТО-252
Базовый номер продукта РГТ8БМ65
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
IGBT Trench Field Stop 650 В 8 А 62 Вт Для поверхностного монтажа TO-252