Микрочиповая технология 2N5795AU
ДВОЙНОЙ МАЛЫЙ СИГНАЛ BJT
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология 2N5795AU
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 2914
- Артикул: 2Н5795АУ
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 ПНП (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 600 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,6 В при 50 мА, 500 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 600мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | ты |
| Базовый номер продукта | 2N5795 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 150-2Н5795АУ |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 PNP (двойной), 60 В, 600 мА, 600 мВт, для поверхностного монтажа U