Технология микрочипа APT50GT120LRG

IGBT NPT ОДИНОЧНЫЙ 1200 В 50 А ТО-264

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Технология микрочипа APT50GT120LRG
Упаковка: Трубка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 29
Артикул: АПТ50GT120LRG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $17.5400

Дополнительная цена:$17.5400

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	Тандерболт IGBT®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	ДНЯО
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	1200 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	50 А
Ток-коллекторный импульсный (Icm)	150 А
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	3,7 В @ 15 В, 50 А
Мощность - Макс.	625 Вт
Переключение энергии	-, 2,33мДж (выкл.)
Тип входа	Стандартный
Заряд от ворот	340 НК
Td (вкл/выкл) при 25°C	24 нс/230 нс
Условия испытаний	800 В, 50 А, 4,7 Ом, 15 В
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа	Сквозное отверстие
Пакет/ключи	ТО-264-3, ТО-264АА
Поставщик пакета оборудования	ТО-264 (Л)
Базовый номер продукта	АПТ50GT120
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-APT50GT120LRG
Стандартный пакет	1

IGBT NPT 1200 В 50 А 625 Вт Сквозное отверстие ТО-264 (Л)