
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Эмкость @ Вр, Ф | 10пФ @ 4В, 1МГц |
| Коэффициент емкости | 4.2 |
| Состояние коэффициента емкости | С0/С30 |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 30 В |
| Тип диода | Одинокий |
| Q@Вр,Ф | 2200 при 4 В, 50 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 125°С |
| Тип монтажа | - |
| Пакет/ключи | - |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0060 |
| Другие имена | 150-GC1513-192 |
| Стандартный пакет | 1 |