Микрочиповая технология MG1056-30
ГЕРМЕТИЧЕСКАЯ ТАБЛЕТКА GAAS GUNN EPI UP
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология MG1056-30
- Упаковка: Поднос
- Техническая спецификация:-
- Запас: 7588
- Артикул: МГ1056-30
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип диода | PIN-код – одиночный |
| Напряжение — пиковое обратное (макс.) | 8В |
| Ток - Макс. | 200 мА |
| Эмкость @ Вр, Ф | - |
| Сопротивление @ Если, F | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 20 мВт |
| Рабочая температура | - |
| Пакет/ключи | Шпилька |
| Поставщик пакета оборудования | - |
| Базовый номер продукта | MG1056 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.10.0060 |
| Другие имена | 150-МГ1056-30 |
| Стандартный пакет | 1 |
PIN-код РЧ-диода - одиночный, 8 В, 200 мА, 20 мВт
Больше продуктов
- Диоды Инкорпорейтед 1N4001-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4002-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4003-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4004-T
- Диоды Инкорейтед 1N4005-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4006-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4007-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N4148-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5228B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5230B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5231B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5232B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5233B-T
- Диоды Инкорейтед 1N5234B-T
- Диоды Инкорпорейтед 1N5235B-T