Микрочиповая технология MSCDC100KK120D1PAG

ПМ-ДИОД-SIC-SBD-D1P

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCDC100KK120D1PAG
Упаковка: Коробка
Техническая спецификация: PDF
Запас: 7
Артикул: MSCDC100KK120D1PAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $155.4700

Дополнительная цена:$155.4700

Подробности

Параметры
Ряд	-
Упаковка	Коробка
Статус продукта	Активный
Конфигурация диода	1 пара с общим катодом
Технология	SiC (карбид кремния) Шоттки
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)	1200 В
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)	100А
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If	1,8 В при 100 А
Скорость	Нет времени восстановления > 500 мА (Io)
Время обратного восстановления (trr)	0 нс
Ток – обратная утечка @ Vr	400 мкА при 1200 В
Рабочая температура - соединение	-40°С ~ 175°С
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	Д1П
Базовый номер продукта	MSCDC100
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.10.0080
Другие имена	150-MSCDC100KK120D1PAG
Стандартный пакет	1
Производитель	Микрочиповая технология

Диодная матрица, 1 пара, общий катод, 1200 В, 100 А, модуль для установки на шасси