Микрочиповая технология MSCGLQ100X065CTYZBNMG

ПМ-IGBT-SBD-NHPD

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCGLQ100X065CTYZBNMG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 3724
Артикул: MSCGLQ100X065CTYZBNMG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Тип БТИЗ	-
Конфигурация	Трехфазный инвертор с тормозом
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)	650 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)	150 А
Мощность - Макс.	400 Вт
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2,3 В при 15 В, 100 А
Ток-отсечка коллектора (макс.)	50 мкА
Входная емкость (Cies) при Vce	490 пФ при 25 В
Вход	Трехфазный мостовой выпрямитель
НТЦ-термистор	Да
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	-
Другие имена	150-MSCGLQ100X065CTYZBNMG
Стандартный пакет	1

Модуль IGBT Трехфазный инвертор с тормозом 650 В 150 А 400 Вт Монтаж на шасси