Микрочиповая технология MSCSM120TLM31C3AG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM120TLM31C3AG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 9180
Артикул: MSCSM120TLM31C3AG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $258,9000

Дополнительная цена:$258,9000

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	89А (Тц)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	31 мОм при 40 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,8 В @ 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	232 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3020пФ при 1000В
Мощность - Макс.	395 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Ф
Базовый номер продукта	МСКСМ120
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM120TLM31C3AG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1200 В (1,2 кВ), 89 А (Тс) 395 Вт (Тс) Монтаж на корпусе СП3Ф