Микрочиповая технология MSCSM170DUM11T3AG

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM170DUM11T3AG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 9387
Артикул: МСЦСМ170ДУМ11Т3АГ
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $325,9700

Дополнительная цена:$325,9700

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N-канальных (двойных) с общим обвинением
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	240А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	11,3 мОм при 120 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 10 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	712 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	13200пФ при 1000В
Мощность - Макс.	1140 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП3Ф
Базовый номер продукта	МСКСМ170
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM170ДУМ11Т3АГ
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 240 А (Tc) 1140 Вт (Tc), крепление на шасси SP3F