Microchip Technology MSCSM170HRM233AG

PM-MOSFET-SIC-SP3F

Проиджоделх: ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
NoMerPOIзVODITELEL: Microchip Technology MSCSM170HRM233AG
Епаково: МАССА
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 8859
Sku: MSCSM170HRM233AG
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $257.3200

Эkst цena:$257.3200

Подрэбной

Парметр
Млн	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
В припании	-
Упако	МАССА
Степень Продукта	Актифен
Тела	Карбид Кремния (sic)
Коунфигура	4 n-каил (иртор
FET FUONKSHINA	Карбид Кремния (sic)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	1700 В (1,7 кв), 1200 В (1,2К)
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	124A (TC), 89A (TC)
Rds on (max) @ id, vgs	22,5mohm @ 60a, 20 v, 31mohm @ 40a, 20v
Vgs (th) (max) @ id	3,2 - @ 5ma, 2,8 n @ 3ma
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	356NC @ 20V, 232NC @ 20V
Взёр.	6600pf @ 1000V, 3020pf @ 1000V
Синла - МАКС	602W (TC), 395W (TC)
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 175 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	ШASCI
PakeT / KORPUES	Модул
ПАКЕТИВАЕТСЯ	-
Дрогин ИНЕНА	150-MSCSM170HRM233AG
Станодадж	1

MOSFET Array 1700V (1,7 кв), 1200 В (1,2 кв) 124A (TC), 89A (TC) 602W (TC), 395W (TC) гора крепления