Микрочиповая технология MSCSM170TLM15CAG

PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C

Производитель: Микрочиповая технология
Номер производителя: Микрочиповая технология MSCSM170TLM15CAG
Упаковка: Масса
Техническая спецификация:-
Запас: 5
Артикул: MSCSM170TLM15CAG
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $725.1800

Дополнительная цена:$725.1800

Подробности

Параметры
Производитель	Микрочиповая технология
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	4 N-канала (трехуровневый инвертор)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1700В (1,7кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	179А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	15 мОм при 90 А, 20 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	3,2 В при 7,5 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs	534 НК при 20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	9900пФ при 1000В
Мощность - Макс.	843 Вт (Тс)
Рабочая температура	-40°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа	Крепление на шасси
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	СП6С
Базовый номер продукта	МСКСМ170
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	150-MSCSM170TLM15CAG
Стандартный пакет	1

Массив МОП-транзисторов 1700 В (1,7 кВ), 179 А (Tc) 843 Вт (Tc) Монтаж на корпусе SP6C